Setapak Langkah – 22 Mei 2026 | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation memulai pengiriman sampel uji MOSFET berbahan semikonduktor karbida silikon (SiC) bertegangan 1200 V dengan desain trench‑gate. Sampel ini ditujukan untuk pengujian kinerja pada pusat data yang mengoperasikan beban kerja kecerdasan buatan (AI) generasi berikutnya.
\n
Berbeda dengan MOSFET tradisional berbahan silikon, MOSFET SiC menawarkan keunggulan dalam hal konduktansi, kecepatan switching, dan toleransi suhu tinggi. Dengan tegangan operasi 1200 V, perangkat ini dapat menangani beban daya tinggi yang umum pada server AI, sekaligus mengurangi kerugian energi akibat panas.
\n
Berikut beberapa fitur utama MOSFET SiC trench‑gate 1200 V:
\n
- \n
- Ruang tahan panas hingga 200 °C, memungkinkan pendinginan yang lebih sederhana.
- Ruang tahan tegangan lebih tinggi, mengurangi kebutuhan rangkaian proteksi.
- Kecepatan switching yang lebih cepat, memperkecil latensi pada beban kerja AI.
- Efisiensi energi meningkat hingga 15 % dibandingkan MOSFET berbahan silikon.
\n
\n
\n
\n
\n
Pengiriman sampel ini menandai langkah awal Toshiba dalam mendukung transformasi infrastruktur pusat data. Perusahaan berencana mengumpulkan data uji dari beberapa mitra industri, termasuk produsen server dan operator data center, untuk mengoptimalkan desain modul daya yang akan diproduksi secara massal.
\n
Implikasi ekonominya cukup signifikan. Dengan peningkatan efisiensi energi, pusat data dapat menurunkan biaya operasional listrik yang biasanya menyumbang lebih dari 30 % total biaya kepemilikan. Selain itu, penurunan emisi karbon mendukung agenda keberlanjutan yang semakin ditekankan oleh regulator dan pelanggan.
\n
Berikut perkiraan dampak finansial bagi operator pusat data selama lima tahun ke depan:
\n
| Tahun | Penghematan Energi (%) | Pengurangan Biaya (USD) |
|---|---|---|
| 2024 | 5 | 2,5 juta |
| 2025 | 8 | 4,0 juta |
| 2026 | 11 | 5,5 juta |
| 2027 | 13 | 6,5 juta |
| 2028 | 15 | 7,5 juta |
\n
Keberhasilan uji coba ini diharapkan mempercepat komersialisasi MOSFET SiC pada modul daya server, serta membuka peluang bagi teknologi serupa di bidang kendaraan listrik dan industri manufaktur.
\n
Toshiba menegaskan komitmennya untuk terus berinovasi dalam solusi daya berkelanjutan, sejalan dengan tren digitalisasi dan peningkatan permintaan komputasi AI global.
