Teknologi Semikonduktor

Toshiba Mulai Kirimkan Sampel Uji MOSFET SiC Trench‑Gate 1200V…

Setapak Langkah – 22 Mei 2026 | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation memulai pengiriman sampel uji MOSFET berbahan semikonduktor karbida silikon (SiC) bertegangan 1200 V dengan desain trench‑gate. Sampel ini ditujukan untuk pengujian kinerja...